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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
10.4
14.2
写入速度,GB/s
7.8
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2474
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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