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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
53
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
53
读取速度,GB/s
10.4
14.9
写入速度,GB/s
7.8
13.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2643
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
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