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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
47
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
39
读取速度,GB/s
10.4
14.1
写入速度,GB/s
7.8
10.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2183
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Ramaxel Technology RMN1740EF48D8F-800 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
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