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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
43
47
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
10.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
43
读取速度,GB/s
10.4
14.3
写入速度,GB/s
7.8
7.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2128
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
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