RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
报告一个错误
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
47
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
35
读取速度,GB/s
10.4
15.7
写入速度,GB/s
7.8
11.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2768
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link