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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
比较
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
总分
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
47
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
10.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
36
读取速度,GB/s
10.4
15.3
写入速度,GB/s
7.8
10.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2169
2749
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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