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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
71
左右 54% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
71
读取速度,GB/s
8.0
15.4
写入速度,GB/s
7.3
8.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
1586
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-023.A00G 8GB
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
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