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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
33
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.4
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
22
读取速度,GB/s
8.0
17.4
写入速度,GB/s
7.3
13.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
3182
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
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