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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Kingston 9905704-007.A00G 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
101
左右 67% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
101
读取速度,GB/s
8.0
14.2
写入速度,GB/s
7.3
6.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
1399
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Team Group Inc. 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
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