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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
总分
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
25
读取速度,GB/s
8.0
15.3
写入速度,GB/s
7.3
11.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1911
2681
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3 2400 CL10 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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