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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
29
读取速度,GB/s
9.2
14.9
写入速度,GB/s
8.1
10.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2811
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
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Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
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