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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
54
左右 -200% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
18
读取速度,GB/s
9.2
20.8
写入速度,GB/s
8.1
16.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3650
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
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