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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
54
左右 -145% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
22
读取速度,GB/s
9.2
17.7
写入速度,GB/s
8.1
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3237
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
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