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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
54
左右 -170% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
20
读取速度,GB/s
9.2
19.4
写入速度,GB/s
8.1
14.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3509
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB RAM的比较
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Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
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