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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
30
读取速度,GB/s
9.2
17.0
写入速度,GB/s
8.1
15.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3656
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
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