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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
29
读取速度,GB/s
9.2
18.0
写入速度,GB/s
8.1
13.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3314
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
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