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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
54
左右 -80% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.8
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
30
读取速度,GB/s
9.2
16.8
写入速度,GB/s
8.1
12.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3046
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
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