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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

总分
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

总分
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Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB 需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    54 left arrow 60
    左右 10% 更低的延时
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.3 left arrow 9.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.8 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    54 left arrow 60
  • 读取速度，GB/s
    9.2 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 8.8
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2105 left arrow 2129

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较

Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB

Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB RAM的比较

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

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内存RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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Kingston 9905704-007.A00G 4GB
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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内存RAM
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Kingston 9905702-017.A00G 8GB
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