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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMZ8GX3M2B1600C9 4GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Corsair CMZ8GX3M2B1600C9 4GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Corsair CMZ8GX3M2B1600C9 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
10600
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMZ8GX3M2B1600C9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
54
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
9.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMZ8GX3M2B1600C9 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
54
27
读取速度,GB/s
9.2
13.0
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
12800
10600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2138
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Corsair CMZ8GX3M2B1600C9 4GB RAM的比较
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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