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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
54
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
27
读取速度,GB/s
9.2
18.4
写入速度,GB/s
8.1
14.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3388
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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