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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
54
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
33
读取速度,GB/s
9.2
16.3
写入速度,GB/s
8.1
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2795
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
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