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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
54
左右 -46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
37
读取速度,GB/s
9.2
14.9
写入速度,GB/s
8.1
10.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2814
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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