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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
54
左右 -170% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
20
读取速度,GB/s
9.2
19.0
写入速度,GB/s
8.1
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3410
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
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Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
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