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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
54
左右 -108% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
26
读取速度,GB/s
9.2
17.8
写入速度,GB/s
8.1
14.9
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3617
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
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