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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
54
左右 -135% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
23
读取速度,GB/s
9.2
17.3
写入速度,GB/s
8.1
12.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2979
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
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