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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
54
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
34
读取速度,GB/s
9.2
15.9
写入速度,GB/s
8.1
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2910
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905595-011.A00LF 2GB
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
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Kingston XN205T-HYD2 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
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