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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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规格
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需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
54
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
34
读取速度,GB/s
9.2
18.0
写入速度,GB/s
8.1
14.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3448
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB RAM的比较
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
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Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
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