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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
54
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
33
读取速度,GB/s
9.2
16.0
写入速度,GB/s
8.1
12.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
3082
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
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Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
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