RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3082
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link