RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
54
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2105
3082
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link