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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
总分
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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需要考虑的原因
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
54
左右 -86% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
9.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
29
读取速度,GB/s
9.2
15.1
写入速度,GB/s
8.1
11.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2105
2950
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB RAM的比较
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
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