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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
差异
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
63
左右 -66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
38
读取速度,GB/s
8.1
16.6
写入速度,GB/s
7.5
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3092
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4M1 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
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