Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

总分
star star star star star
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB

总分
star star star star star
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    29 left arrow 51
    左右 -76% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.1 left arrow 10.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    13.1 left arrow 7.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 10600
    左右 2.42 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    51 left arrow 29
  • 读取速度,GB/s
    10.2 left arrow 16.1
  • 写入速度,GB/s
    7.6 left arrow 13.1
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2049 left arrow 3072
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较