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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
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更快的读取速度,GB/s
19.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
27
读取速度,GB/s
11.8
19.4
写入速度,GB/s
7.3
16.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3646
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
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