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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
11.8
16.8
写入速度,GB/s
7.3
12.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2816
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
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