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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
27
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
21
读取速度,GB/s
11.8
18.3
写入速度,GB/s
7.3
14.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3148
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
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