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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
11.8
18.0
写入速度,GB/s
7.3
16.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3686
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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