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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
11.8
17.8
写入速度,GB/s
7.3
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3555
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
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Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
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