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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
11.8
17.0
写入速度,GB/s
7.3
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3690
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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