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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
11.8
15.0
写入速度,GB/s
7.3
11.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2628
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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