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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
36
左右 25% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
36
读取速度,GB/s
11.8
13.4
写入速度,GB/s
7.3
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2467
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
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