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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
差异
规格
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
11.8
14.6
写入速度,GB/s
7.3
10.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2389
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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