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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
差异
规格
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
11.8
15.5
写入速度,GB/s
7.3
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2780
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
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