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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
31
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
31
读取速度,GB/s
11.8
16.0
写入速度,GB/s
7.3
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2999
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
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