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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
39
左右 31% 更低的延时
需要考虑的原因
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
39
读取速度,GB/s
11.8
13.2
写入速度,GB/s
7.3
9.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2489
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
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G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
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Kingston 9965596-016.B01G 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
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