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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
33
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
33
读取速度,GB/s
11.8
15.3
写入速度,GB/s
7.3
12.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3219
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
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Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
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