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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
41
左右 34% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
41
读取速度,GB/s
11.8
15.2
写入速度,GB/s
7.3
7.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2186
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Kingston 9905471-054.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 99U5403-002.A00LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
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