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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
11.8
12.8
写入速度,GB/s
7.3
8.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2601
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
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