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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
11.8
14.3
写入速度,GB/s
7.3
10.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2201
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965669-031.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
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