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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
11.8
16.0
写入速度,GB/s
7.3
12.3
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2709
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
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