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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
104
左右 -300% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
26
读取速度,GB/s
3,192.0
17.7
写入速度,GB/s
2,404.5
13.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3266
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
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